Kristallzuchtanlage für Siliciumcarbideinkristalle in Dresden

Ausführung:

Dresden

Sachsen

Frist:

20.06.2025 15:00 Uhr

Art der Leistung:

Das Fraunhofer IKTS plant die Anschaffung einer Kristallzuchtanlage für Entwicklungsarbeiten und zur Herstellung von Siliciumcarbideinkristallen mit einem Durchmesser von vier bis sechs Zoll. Die Anlage wird als Forschungs- & Entwicklungsaggregat betrieben und muss Temperaturen von mindestens 2.400°C erreichen. Der Energieeintrag erfolgt durch induktive Beheizung. Die Prozessgase sind Argon und Stickstoff. Die Anlage muss einen Druck von 1 bis mindestens 20 mbar mit einer Genauigkeit von ±0,07 mbar regeln können.

Kristallzuchtanlage für Siliciumcarbideinkristalle

Durchmesser der Kristalle: 4 bis 6 Zoll

Temperatur: mindestens 2.400°C

Energieeintrag: induktive Beheizung

Prozessgase: Argon, Stickstoff

Druckregelung: 1 bis 20 mbar

Genauigkeit: ±0,07 mbar

Aufstellfläche: maximal 3.000 x 5.000 mm

Deckentragelast: max. 2 t/m²

Höhe der Anlage: max. 4.000 mm

Zugang: Rampe und Türen mit Breiten von 2.400 mm und Höhen von 2.300 mm

Medienanbindung: deckenseitig

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