High-vacuum chamber for thin-film synthesis in Helsinki

Die Helsinki Accelerator Laboratory (HAL) der Universität Helsinki beabsichtigt, eine Multi-Source-Vakuumkammer für die Dünnschichtabscheidung mittels Magnetron-Sputtern zu beschaffen. Kernmerkmale sind die Fähigkeit, Substrate mit einem Durchmesser von bis zu 8 Zoll (203,2 mm) homogen zu beschichten. Eine schnell zugängliche Öffnung zum Laden und Entladen von Substraten wird bereitgestellt. Weitere funktionale Erweiterungen sind möglich. Die Kammer wird für die Forschung und Entwicklung von dünnen Schichten genutzt.