High-vacuum chamber für Dünnschichtsynthese in Helsinki

Das Helsinki Accelerator Laboratory (HAL) der Universität Helsinki beabsichtigt, eine Hochvakuumkammer für die Dünnschichtablagetechnologie mittels Magnetron-Sputtern zu erwerben. Die Kammer ermöglicht die Ablagerung auf Substraten mit einem Durchmesser von bis zu 8 Zoll (203,2 mm) und soll zukünftig erweiterbar sein. Eine detaillierte technische Spezifikation mit Mindestanforderungen ist in Anhang 2 aufgeführt.