Beschaffung einer hybriden Plasmaätz- und Beschichtungsanlage in München

Das hier beschriebene Vergabeverfahren betrifft die Beschaffung einer Anlagen zur Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) und Atomlagenätzen (Atomic Layer Etching, ALE) für plasmagestützte Prozesse zur Abscheidung bei niedrigen Temperaturen. Zudem muss die Anlage über eine Bias-fähige Ellektrode verfügen, um klassische Parallelplatten-RIE-Prozesse durchzuführen. Das Vakuumsystem muss fähig sein, über einen breiten Druckbereich den Prozessdruck stabil zu regeln, da ALD-Prozesse gewöhnlich höhere Drücke erfordern als RIE-Prozesse. Darüber hinaus müssen alle wesentlichen Funktionen einer RIE und einer PE ALD voll erfüllt werden, so wie sie in den Mindestanforderungen der Ausschreibung aufgeführt sind. Auch RIE-Prozesse mit kapazitiv gekoppeltem Plasma und chemische Abscheideprozesse als IC PECVD müssen durchführbar sein.