Single Wafer ALD for TiN (IPMS-MRS05.1) - PR896468-2480-P

<div class="h1">Titel</div> <div class="pre">Single Wafer ALD for TiN (IPMS-MRS05.1) - PR896468-2480-P</div> <div class="h1">Beschreibung</div> <div class="pre">1 Stück Single Wafer ALD for TiN Es wird eine Einzelwafer-Atomschichtabscheidungsanlage für TiN sowie für Al2O3 und SiO2 adressiert. Das System muss mit einer ferngesteuerten Plasmaquelle entweder für den TiN-Prozess oder für die Vorbehandlung der Oberfläche direkt vor der ALD ausgestattet sein. Dieses System ist für zwei wichtige Anwendungen in der Prozesslinie erforderlich. Eine Anwendung ist die Abscheidung einer TiN-Barriere innerhalb von TSV für die fortgeschrittene Integration von MEMS-Chips. Das zweite Anwendungsszenario ist die Abscheidung von TSV-Liner/Barriere auf der Via- oder Frontseite für QMI-Metallisierungssysteme (quasi monolithische Integration). Bei beiden Anwendungen ist die konforme Abscheidung der Barriere notwendig, um eine optimale Kontaktqualität zu erreichen. Es ist wichtig, dass nur die Vorderseite eines Wafers mit dem Film beschichtet wird. Außerdem muss das System in der Lage sein, modernste dielektrische Schichten wie Al2O3 und SiO2 zu erzeugen. Ein solches System muss direkt in die fortschrittliche QMI-Integrationslinie integriert werden, um Verunreinigungen zu vermeiden, weshalb mechanische Defekte und Verunreinigungen von entscheidender Bedeutung sind. Das System wird in einer normalen Reinraum-Trägerstruktur installiert. Optionale Leistungspositionen: 02.02 Hardwareanforderungen "Single Wafer oder Batch-Kammer mit SiO2 und Al2O3 ALD getrennt von TiN-Prozesskammer " ja / nein 04.06 Kassetten- / Wafer-Spezifikationen Verarbeitung von Quarz-Wafern gemäß o.g. Spezifikationen ja / nein 08.01 Prozesssystem Alle Manometeranschlüsse sind mit einem Isolierventil ausgestattet, um einen Austausch ohne Entlüftung der Kammer zu ermöglichen ja / nein 09.01.01 Prozessspezifikation - allgemein System zur Schichtwachstumskontrolle (Quarzkristall-Mikrowaage, Reflektometer, Ellipsometer o.ä.) ja / nein 12. 06 Erweiterte Gewährleistung Bitte bieten Sie eine erweiterte Gewährleistung von weiteren 24 Monaten an ja / nein 13.01 Optionales Atomschichten-Ätzverfahren für adressierte Materialsysteme in den gleichen Prozesskammern ja / nein 13.02 Optionales optisches In-situ-Monitoring (z.B. Ellipsometrie) zur Rückmeldung der Prozesskontrolle ja / nein 13.03 Optinales Set von Verbrauchsteilen (Kammereinsätze, O-Ringe, Ventile, etc.) zur Abdeckung der Gewährleistungszeit ja / nein</div> <div class="h1">Interne Kennung</div> <div class="pre">LOT-0000</div>