Reactive Ion Etching (IZM-22) - PR915350-2590-P

<div class="h1">Titel</div> <div class="pre">Los 1: Reactive Ion Etching (RIE) (IZM-22.1)</div> <div class="h1">Beschreibung</div> <div class="pre">Los 1: Reactive Ion Etching (RIE) (IZM-22.1) Das reaktive Ionenätzen (RIE) findet Anwendung bei der Vorbehandlung verschiedener Oberflächen für die Galvanisierung, das Kleben und auch für eine bessere Haftung von organischen Filmen wie Polymeren und Resist, für die Herstellung von Mikrostrukturen, das Ätzen von Mustern auf Wafern und die Herstellung integrierter Schaltungen. Es wird für den präzisen und kontrollierten Materialabtrag eingesetzt. Um wiederholbare Ätzergebnisse mit hohem Durchsatz zu erzielen, sind getrennte Prozesskammern oder besser komplett getrennte Anlagen erforderlich, eine für organische und eine für anorganische Ätzschichten (oder zusätzliche Metallschichten), um jegliche Kreuzkontamination zu vermeiden; außerdem sollte die Handhabung der Filmrahmen in einer getrennten Maschine erfolgen. Die Gleichmäßigkeit des reaktiven Ionenätzens mit den typischen Gasen Ar, SF6, CF4, O2, N2 sollte besser als ≤5% über einen 200mm-Wafer sein, um geringe Prozessschwankungen und eine hohe Dickengleichmäßigkeit zu ermöglichen, was für eine hohe Ausbeute entscheidend ist. Das System sollte in der Lage sein, Wafer mit einem Durchmesser von 100 bis 200 mm ohne oder mit minimalem Aufwand nachzurüsten und mit Dicken im Bereich von 300-1200 µm zu bearbeiten. Optionen: - Die erforderlichen Pumpen (vorzugsweise von Edwards) und die Flüssigkeitskühlung sind im Kostenvoranschlag und Budget enthalten</div> <div class="h1">Interne Kennung</div> <div class="pre">LOT-0001</div>