Ausschreibung

High-vacuum chamber for thin-film synthesis in Helsinki

AusfĂĽhrung:

Keine Bundesländer in Deutschland.

Frist:

20.11.2025 10:00 Uhr

Leistungsbeschreibung:

Die Helsinki Accelerator Laboratory (HAL) der Universität Helsinki beabsichtigt, eine Multi-Source-Vakuumkammer für die Dünnschichtabscheidung mittels Magnetron-Sputtern zu beschaffen. Kernmerkmale sind die Fähigkeit, Substrate mit einem Durchmesser von bis zu 8 Zoll (203,2 mm) homogen zu beschichten. Eine schnell zugängliche Öffnung zum Laden und Entladen von Substraten wird bereitgestellt. Weitere funktionale Erweiterungen sind möglich. Die Kammer wird für die Forschung und Entwicklung von dünnen Schichten genutzt.

Zusammenfassung:

  • Multi-Source-Vakuumkammer für Dünnschichtabscheidung
  • Unterstützung für Magnetron-Sputtern (DCMS, RFMS, HiPIMS)
  • Substratdurchmesser bis zu 8 Zoll (203,2 mm)
  • Schnellzugangsöffnung für Substrate
  • Möglichkeit zur zukünftigen Erweiterung mit einem thermischen Verdampfer und einer Lastschleuse

Tätigkeiten:

Vakuumkammern
Dünnschichtabscheidung
Magnetron-Sputtern

Details:

Dünnschichten
Substrate
Materialien
Metalle
Legierungen
Halbleiter
Isolatoren
magnetische Materialien
  • Auftraggeber
  • AusfĂĽhrungsfristen
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oder:
Id: hziEQxAS6x