Gerät PVD-Sputter-Cluster for dielectric materials (IMS-01) - PR887139-2380-P

<div class="h1">Titel</div> <div class="pre">Gerät PVD-Sputter-Cluster for dielectric materials (IMS-01) - PR887139-2380-P</div> <div class="h1">Beschreibung</div> <div class="pre">1 Stück PVD-Sputter-Cluster für dielektrische Materialien Quasi-monolithisch integrierte Chiplets (QMI), die vielfältige Funktionen wie Mikroprozessoren, signalverarbeitende Hochgeschwindigkeitsschnittstellen und integrierte Sensoren vereinen, erfordern qualitativ hochwertige optische Schichten. Für eine quasimonolithische Backend-Integration von optischen Chiplets wie Photodetektoren, Lasern, Filtern, Phasenschiebern oder Kopplern wird eine große Vielfalt an dielektrischen Schichten (wie SiO2, TiO2, Si3N4 oder AlN) benötigt, um alle Anforderungen der endgültigen Chiplet-Technologie zu erfüllen. Um eine gute Gesamtleistung des Chips zu erreichen, ist eine sehr hohe Reinheit des Schichtmaterials sowie eine gute Gleichmäßigkeit der abgeschiedenen Schicht erforderlich. Die Abscheidung dieser Schichten soll durch physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) in einem Clustersystem für 200-mm-Wafer erfolgen. Die Konfiguration der Anlage ermöglicht zumindest die Abscheidung der Oxide und Nitride von Aluminium, Silizium und Titan in speziellen Kammermodulen, was für die QMI-Prozesslinie unerlässlich ist. Die Dicken der abgeschiedenen Schichten reichen von einigen nm bis zu 1 µm. Die gewünschte Gleichmäßigkeit der Dicke und der optischen Eigenschaften der abgeschiedenen dielektrischen Schichten sollte nach Möglichkeit 3 % nicht überschreiten. Für fortgeschrittene Anwendungen benötigt das System eine F&E-Kammer für die Abscheidung von transparenten Leitern oder Piezoelektrika. Diese Materialien werden benötigt, um die Funktionalität der zukünftigen Chiplet-Backend-Integration zu erweitern. Die Vermeidung von Kreuzkontaminationen und Verunreinigungen ist entscheidend für die Qualität der optischen Eigenschaften der abgeschiedenen Schichten und damit für die Gesamtleistung des Chips. Die bestehende Ausrüstung am Fraunhofer IMS kann diese Vielfalt an Materialien nicht abdecken. Diese Investition ist eine strategische Erweiterung der bestehenden Anlagen, um quasi monolithisch integrierte optische Schichten auf CMOS-Chips zu ermöglichen, die schließlich mit anderen Chips durch 2,5- und 3D-Integration zusammengefügt werden. Optionen: - Entgasungskammer Waferklemmung - Entgasungskammer Prozesstemperatur °C - Wafer-Oberflächenreinigung mit Ar-Sputter-Ätzung Durchsatz Wafer/h bei 30 nm Abtrag - Reinigen der Waferoberfläche mit Ar-Sputter-Ätzung Wafer-Einspannung - Reinigen der Waferoberfläche mit Ar-Sputter-Ätzen Prozesstemperatur °C @ Ätzzeit 60s - Ti(Titan) Durchsatz Wafer/h @ Dicke 100 nm - Ti(Titan) Abscheiderate nm/min - Ti(Titan) Wafer-Einspannung - Ti(Titan) Prozesstemperatur °C - TiN(Titanium Nitride) Durchsatz Wafer/h @ Dicke 100 nm - TiN(Titanium Nitride) Waferklemmung - TiN(Titannitrid) Prozesstemperatur °C - Si3N4 (Siliziumnitrid) Durchsatz Wafer/h bei einer Dicke von 500 nm - Si3N4 (Siliziumnitrid) Waferaufspannung - Si3N4 (Siliziumnitrid) Prozesstemperatur °C - Si (Silizium) ist optional auf einer Kammer möglich - Al (Aluminium) ist optional auf einer Kammer möglich - AlNx (Aluminiumnitrid) Durchsatz Wafer/h bei 500 nm Dicke - AlNx (Aluminiumnitrid) Waferklemmung - AlNx (Aluminiumnitrid) Prozesstemperatur °C - AlOx (Aluminum Oxid) Durchsatz Wafer/h bei 500 nm Dicke - AlOx (Aluminium Oxid) Wafer-Einspannung - AlOx (Aluminum Oxid) Prozesstemperatur °C - AlxScyNz (Aluminum Scandium Nitride) spezielle Zusammensetzung ist optional auf einer Kammer möglich - TiW (Titanium Tungsten) ist optional auf einer Kammer möglich - AlxScyNz (Aluminium-Scandium-Nitrid) in variabler ZusammensetzungDurchsatz Wafer/h bei 500 nm Dicke - AlxScyNz (Aluminium-Scandium-Nitrid) in variabler Zusammensetzung Waferklemmung - AlxScyNz (Aluminium-Scandium-Nitrid) in variabler Zusammensetzung Prozesstemperatur °C - AlxScyNz (Aluminium-Scandium-Nitrid) in variabler Zusammensetzung Anzahl der Sputterquellen - AlxScyNz (Aluminium-Scandium-Nitrid) in variabler Zusammensetzung Co-Sputtern in variablen Verhältnissen von - ITO (Indium-Zinn-Oxid) ist optional in einer Kammer möglich - ITO (Indium-Zinn-Oxid) Schadensarmer Prozess mit nahezu keinem Ionenbeschuss, der durch die Gestaltung der Sputterquelle versprochen wird - AZO (Aluminiumoxid-dotiertes Zinkoxid) ist optional auf einer Kammer möglich - Sputtern von verschiedenen Metallen (Au, Ag, Pt) in der Multitargetkammer versprochene Prozessfähigkeit - Allgemeine Anforderungen Grundfläche - Konfiguration System Externe Schnittstelle - Software Konfiguration Die Steuerungssoftware muss dem IMS als separate Backup-Datei zur Verfügung gestellt werden. - Softwarekonfiguration Alle Prozessdaten können in einem menschenlesbaren Format (z.B. in csv) exportiert werden. - Systemdokumentation zusätzliche Dokumentationen auf digitalen Medien (PDF's...) wären wünschenswert - Sonstige Spezifikationen und Anforderungen Kostenloser Software-Support im Fehlerfall mindestens 24 Monate nach Ablauf der Garantie.</div> <div class="h1">Interne Kennung</div> <div class="pre">LOT-0000</div>