Entwicklung SiC-Gapschalter

<div class="h1">Titel</div> <div class="pre">Entwicklung SiC-Gapschalter</div> <div class="h1">Beschreibung</div> <div class="pre">Schrittweise Entwicklung des Schalters und fertigung zweier Prototypen gemäß Spezifikation. Der vorgeschlagene Terminplan wird in gemeinsamer Abstimmung finalisiert. Jeder Schalter soll zusammengesetzt sein aus zwei getrennten SiC-Moduleinheiten (je ein Modul-Stapel für jede Gap-Hälfte der Kavität) und einer eigenen Ansteuer- und Stromversorgungseinheit. Die SiC-Moduleinheiten werden im Beschleunigertunnel als Teil der Gap-Peripherie der Hochfrequenzkavitäten eingesetzt werden. Sie müssen hohe Spannungen, hohe Ströme und eine hohe Strahlenexposition aushalten können. Die Schalter werden in den Beschleunigeranlagen während der Strahlzeit im Dauerbetrieb eingesetzt werden. Da bei diesen Beschleunigeranlagen eine hohe Verfügbarkeit aller technischen Systeme verlangt wird, werden hohe Anforderungen an die Langzeitstabilität der Schalter und an die Qualität der verwendeten Bauteile gestellt, inklusive State-of-the-Art-Lösungen für Spannungsversorgung, mechanische Integration, Hochfrequenzeigenschaften, elektrische Sicherheit, Kühlung und thermisches Management und elektromagnetische Kompatibilität</div> <div class="h1">Interne Kennung</div> <div class="pre">27/2600019438</div>