Cluster ALE/ICP/RIE + PECVD + ALD (HHI-07) - PR865241-3220-P

<div class="h1">Titel</div> <div class="pre">Cluster ALE/ICP/RIE + PECVD + ALD (HHI-07) - PR865241-3220-P</div> <div class="h1">Beschreibung</div> <div class="pre">1 Stück. Das erforderliche Cluster-Tool sollte eine Ladeschleuse und einen Handler, drei separate Prozesskammern für ALE/ICP/RIE (Atomic Layer Etching/Inductively Coupled Plasma/Reactive Ion Etching), ALD (Atomic Layer Deposition) und ICP-PECVD (Inductively Coupled Plasma-Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) umfassen. Nach dem Ätzen der InP-, In(Al)GaAsP- und In(Al)GaAs-Schichten auf 3"- bis 6"-Wafern in der ALE/ICP/RIE-Kammer sollten diese unter Hochvakuum in eine der Beschichtungskammern gebracht werden. Die ALD-Kammer sollte die Beschichtung mit SiNx, SiO2, Al2O3 und TiO2 ermöglichen, während die ICP-PECVD-Kammer für SiNx und SiO2 geeignet sein sollte. Optionen: ALD-Kammer Gase Ozon (O3) wird über ein separates Generatorsystem zugeführt. ALD-Kammer Ellipsometer Ellipsometer zur in-situ Messung von ALD-Schichten. ALD-Kammer Pumpensystem Vakuum-Kältefalle als Pumpenschutz. ICP-PECVD-Kammer Endpunktdetektion zur Plasmareinigung Optisches Emissionsspektrometer (200 - 850 nm). ICP-PECVD-Kammer Substrathalter Quarz-Klemmring zum Festklemmen des 200-mm-Wafers/Trägers auf der Substratelektrode. ALE-Kammer Optische Emission Optisches Emissionsspektrometer (200 - 850 nm). ALE-Kammer Substratelektrode Die Elektrode muss auch für den Betrieb bei Temperaturen von bis zu -150°C geeignet sein. ALE-Kammer Laserinterferometer Ein Laserinterferometer/Reflektometer für die In-situ-Messung von Ätztiefen/-raten. ALE-Kammer Substrathalter Quarz-Klemmring zum Festklemmen des 200-mm-Wafers/Trägers auf der Substratelektrode.</div> <div class="h1">Interne Kennung</div> <div class="pre">LOT-0000</div>