300 mm BEOL large field exposure system, fully automated (IZM-132) - PR1184859-3460-P

<div class="h1">Titel</div> <div class="pre">300 mm BEOL large field exposure system, fully automated (IZM-132) - PR1184859-3460-P</div> <div class="h1">Beschreibung</div> <div class="pre">1 Stück: 300 mm BEOL large field exposure system, fully automated (IZM-132) Ein 300-mm-i-Line-Belichtungssystem mit großem Bildfeld, das die Verbindung zwischen der FEOL-Lithografie und der Backend-Lithografie herstellt und auf die Herstellung von ultra-hochdichten BEOL-Strukturen im Sub-µm-Bereich abzielt, wie z. B. Verdrahtungen und Verbindungen auf der Vorder- und Rückseite für 2,5D/3D-QMI- und Chiplet-Integration. Mit dieser Anlage lassen sich ultrahochdichte BEOL-ähnliche Verdrahtungen auf großflächigen, Chiplet-basierten 2,5D/3D-Wafer-Level-Systemen und quasi-monolithischen integrierten Gehäusearchitekturen realisieren. Sie ermöglicht Integrationsdichten auf dem neuesten Stand der Technik. Das i-Line-Belichtungssystem mit großem Feld bildet die Verbindung zwischen FEOL-Lithografie und Backend-Lithografie durch eine Optik mit mittlerer numerischer Apertur (NA), größtmöglicher Feldgröße und variabler Schärfentiefe. Es zielt auf Auflösungen von deutlich unter <800 nm L/S ab, um den Weg für Auflösungen bis hinunter zu 500 nm L/S mit einer Overlay-Genauigkeit von <100 nm zu ebnen. Es verfügt über die Fähigkeit zur Front- und Back-Ausrichtung zur Realisierung von 3D-Systemen, zur Steuerung des Belichtungsfokus sowie über eine variable Schärfentiefe für die Anwendung von dickem Resist im Bereich der Redistribution-Verdrahtung und µ-Interconnects. Optionale Features: - Extremer Verformungs- und Durchbiegungsbereich >1500 .. 2500 µm (LV-Pos.1.24) IR-basierte Ausrichtung auf der Rückseite (Reflexionsmodus) mit einer Überlappung von ≤500 nm (3 Sigma), unerlässlich für Through-Silicon-Vias (TSVs) und gestapelte Wafer-Anwendungen (LV-Pos.1.81) - Vorausrichtung Korrektur von Mitten- und Rotationsfehlern bei Verschiebungen der Ausrichtungsmarken auf gestapelten Wafern (Si/Si) und (Glas/Si), um Verschiebungen beim Wafer-Bonding auszugleichen, was eine Ausrichtung innerhalb des erforderlichen Sichtfelds des Belichtungsgeräts ermöglicht (bitte Lösung erläutern) (LV-Pos.1.85) - Einzigartiges musterbasiertes Erkennungssystem (entweder diffraktionsbasiert oder bildbasiert), um flexible Ausrichtungsmarken für die Ausrichtung zu ermöglichen (kann Cognex-Mustererkennung oder ähnliches sein) (LV-Pos.1.87) - Integrationsschema / Option für Grob- und Feinausrichtung (z. B. Grobausrichtung mit Mustererkennung zum Ausgleich von Verschiebungen beim Wafer-Bonding, Feinausrichtung mit diffraktionsbasierter Ausrichtungsmarke) (LV-Pos.1.88) - Suche nach Grobausrichtungsmarken im Sichtfeld (z. B. FoV 1500 x 1200 µm), um einen Suchbereich von mehreren Millimetern zu ermöglichen; eine Korrektur mithilfe einer Vorausrichtungsstufe kann ebenfalls eine Option sein --> bitte Lösung erläutern (LV-Pos.1.89)</div> <div class="h1">Interne Kennung</div> <div class="pre">LOT-0000</div>